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MEMORY RANK DESIGN FOR A MEMORY CHANNEL THAT IS OPTIMIZED FOR GRAPH APPLICATIONS

机译:针对图形应用进行了优化的内存通道的内存行设计

摘要

An apparatus is described. The apparatus includes a rank of memory chips to couple to a memory channel. The memory channel is characterized as having eight transfers of eight bits of raw data per burst access. The rank of memory chips has first, second and third X4 memory chips. The X4 memory chips conform to a JEDEC dual data rate (DDR) memory interface specification. The first and second X4 memory chips are to couple to an eight bit raw data portion of the memory channel's data bus. The third X4 memory chip to couple to an error correction coding (ECC) information portion of the memory channel's data bus.
机译:描述了一种设备。该装置包括一排存储芯片以耦合到存储通道。存储信道的特征是每个突发访问具有八次传输,传输八位原始数据。存储芯片的排名为第一,第二和第三X4存储芯片。 X4存储器芯片符合JEDEC双数据速率(DDR)存储器接口规范。第一和第二X4存储芯片将耦合到存储通道数据总线的八位原始数据部分。第三块X4存储器芯片耦合到存储器通道数据总线的纠错编码(ECC)信息部分。

著录项

  • 公开/公告号US2020233819A1

    专利类型

  • 公开/公告日2020-07-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INTEL CORPORATION;

    申请/专利号US202016833322

  • 申请日2020-03-27

  • 分类号G06F13/16;G06F13/42;G06F12/0879;G11C11/4093;G11C5/04;G11C29/42;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 11:23:45

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