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PROTECTIVE FILM FORMING COMPOSITION HAVING A DIOL STRUCTURE

机译:具有二元结构的保护膜形成组合物

摘要

A protective film-forming composition which protects against a semiconductor wet etching solution, contains a solvent and a compound or polymer thereof containing at least one pair including two adjacent hydroxyl groups in a molecule thereof, and forms a protective film which can quickly be removed by dry etching and exhibits excellent resistance against a semiconductor wet etching solution during the lithographic process when producing semiconductors; a method for producing a resist pattern-equipped substrate which uses the protective film; and a method for producing a semiconductor device.
机译:一种保护膜形成用组合物,其保护免受半导体湿蚀刻溶液的影响,包含溶剂和其化合物或聚合物,所述化合物或其聚合物在分子中包含至少一对包括两个相邻羟基的化合物或聚合物,并形成可以通过以下方法快速去除的保护膜:干法蚀刻,并且在生产半导体时的光刻过程中表现出优异的抗半导体湿法蚀刻溶液的能力;一种使用保护膜的带抗蚀剂图案的基板的制造方法。以及用于制造半导体器件的方法。

著录项

  • 公开/公告号US2020319561A1

    专利类型

  • 公开/公告日2020-10-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NISSAN CHEMICAL CORPORATION;

    申请/专利号US201816955178

  • 申请日2018-12-20

  • 分类号G03F7/40;H01L21/308;C23C16/02;C23C16/455;G03F7/11;C08L33/06;C08L33/14;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 11:20:45

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