首页> 外国专利> Pb-free MEMRISTOR USING Pb-FREE ORGANIC-INORGANIC HYBRID PEROVSKITE

Pb-free MEMRISTOR USING Pb-FREE ORGANIC-INORGANIC HYBRID PEROVSKITE

机译:使用无铅有机-无机混合钙钛矿的无铅存储器

摘要

The present application relates to memristors based on Pb-free layered organic-inorganic composite perovskite and a method of manufacturing the same.
机译:本申请涉及基于无铅层状有机-无机复合钙钛矿的忆阻器及其制造方法。

著录项

  • 公开/公告号KR102059556B1

    专利类型

  • 公开/公告日2019-12-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 성균관대학교산학협력단;

    申请/专利号KR20170042077

  • 发明设计人 박남규;김희선;

    申请日2017-03-31

  • 分类号H01L45;C07F7;H01B1/02;H01L27/24;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 11:08:17

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号