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Hybrid configuration memory cell

机译:混合配置存储单元

摘要

A configuration memory cell includes a latch section including a cross-coupled latch with complementary output nodes and a programmable read only memory section (PROM) coupled to one of the complementary output nodes of the latch section, the PROM section being a programmable and erasable ReRAM device includes.
机译:配置存储单元包括:锁存器部分,其包括具有互补输出节点的交叉耦合的锁存器;和可编程只读存储器部分(PROM),其耦合到所述锁存器部分的互补输出节点之一,所述PROM部分是可编程且可擦除的ReRAM。设备包括。

著录项

  • 公开/公告号DE112019000653T5

    专利类型

  • 公开/公告日2020-10-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MICROSEMI SOC CORP.;

    申请/专利号DE20191100653T

  • 发明设计人 JOHN L. MCCOLLUM;JONATHAN W. GREENE;

    申请日2019-01-19

  • 分类号G11C14;G11C5;G11C11/412;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 11:01:06

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