首页> 外国专利> Method of forming asymmetric defferential spacers for optimized mosfet performance and optimized mosfet performance and optimized mosfet and sonos

Method of forming asymmetric defferential spacers for optimized mosfet performance and optimized mosfet performance and optimized mosfet and sonos

机译：用于优化mosfet性能，优化mosfet性能以及mosfet和sonos的非对称差分间隔物的形成方法

页面导航

著录项
相似文献

摘要

机译：

著录项

公开/公告号GB202001187D0

专利类型
公开/公告日2020-03-11

原文格式PDF
申请/专利权人 X-FAB FRANCE SAS;
展开▼

申请/专利号GB20200001187
发明设计人
展开▼

申请日2020-01-28
分类号
国家 GB
入库时间 2022-08-21 11:00:07

相似文献

专利
外文文献
中文文献