法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-05-30
授权
授权
2010-04-21
实质审查的生效 IPC(主分类):H02M 1/00 申请日:20090424
实质审查的生效
2010-02-17
公开
公开
机译: 磁阻元件的制造方式和磁性器件的制造方式,在制造器件空基板中形成第一磁性层的工艺
机译: 磁阻效应器件包括在基板上依次层叠的氮化物底层,反铁磁层,第一铁磁层,非磁性层和第二铁磁层,包括该磁阻效应器件的磁头以及包括该磁阻效应器件的信息存储装置同一磁头
机译: 在基板磁化方向上分别形成包括具有相同磁性结构的器件的制造