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氧化铟锡靶及制造方法和氧化铟锡透明导电膜及制造方法

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本发明公开了氧化铟锡(ITO)靶，其制造方法，ITO透明导电膜及其制造方法。所述ITO靶包括选自由Sm₂O₃和Yb₂O₃构成的组中的至少一种氧化物，其中所述氧化物的含量相对所述靶重量为约0.5wt％～约10wt％。

著录项

公开/公告号CN101457344B

专利类型发明专利
公开/公告日2012-04-25

原文格式PDF
申请/专利权人三星康宁精密素材株式会社;
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申请/专利号CN200810180006.6
发明设计人具本庆;尹汉镐;朴柱玉;朴炯律;金眩秀;崔成龙;崔仲烈;宋礼根;朴峻弘;
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申请日2008-11-19
分类号C23C14/34(20060101);C23C14/08(20060101);
代理机构11018 北京德琦知识产权代理有限公司;
代理人徐江华;王珍仙
地址韩国庆尚北道
入库时间 2022-08-23 09:09:17

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-01-06

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 14/34 授权公告日:20120425 终止日期:20141119 申请日:20081119

专利权的终止
2014-06-25

专利权的转移 IPC(主分类):C23C 14/34 变更前: 变更后: 登记生效日:20140604 申请日:20081119

专利申请权、专利权的转移
2012-04-25

授权

授权
2009-08-12

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-06-17

公开

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