具有大而均匀的电流的大阵列上指PIN二极管及其形成方法

摘要

本发明公开了一种沉积硅、锗、或硅锗形成的上指PIN二极管。该二极管具有底层重掺杂P型区、中间本征或轻掺杂区和上层重掺杂N型区。上层重掺杂P型区掺杂砷，并且二极管的半导体材料在接触合适的硅化物、锗化物或硅锗化物时被结晶。可以形成大阵列的此上指二极管，当在二极管上施加大于导通电压的电压时，穿过该阵列的电流均匀性极佳。该二极管可以有利地用于单片三维存储器阵列中。本发明还公开了形成大量上指PIN二极管的方法和许多其他方面。