默认多晶硅间距设计规则下的混合多晶硅间距单元设计结构及系统

摘要

本发明公开一种保留类型-1单元与类型-2单元的集成电路。类型-1单元包括具有默认多晶硅间距的多晶硅线。类型-2单元包括具有非默认多晶硅间距的多晶硅线。第一边界区域包括至少一个隔离区域，所述隔离区域沿第一方向位于类型-1单元与类型-2单元之间。所述第一边界区域包括至少一个合并伪多晶硅线，其中所述至少一个合并伪多晶硅线包括符合所述类型-1单元的默认多晶硅间距的第一部分，以及符合所述类型-2单元的非默认多晶硅间距的第二部分。