公开/公告号CN108581069B
专利类型发明专利
公开/公告日2023.01.03
原文格式PDF
申请/专利权人 中国地质大学(武汉);
申请/专利号CN201810715731.2
申请日2018.06.29
分类号B23D79/00;B23Q3/00;B23Q5/28;
代理机构武汉知产时代知识产权代理有限公司;
代理人曹雄
地址 430000 湖北省武汉市洪山区鲁磨路388号
入库时间 2023-01-12 18:57:00
机译: 一种视觉上辨别裂纹,缺陷,形状孔或孔的方法,一种是平面半导体组件的基板上的氧化腐蚀保护层,另一个(不是紧急的)裂纹,缺陷,形状孔或孔的保护层
机译: 一种视觉上辨别裂纹,缺陷,形状孔或孔的方法,一种是平面半导体组件的基板上的氧化腐蚀保护层,另一个(不是紧急的)裂纹,缺陷,形状孔或孔的保护层
机译: 一种视觉上辨别裂纹,缺陷,形状孔或孔的方法,一种是平面半导体组件的基板上的氧化腐蚀保护层,另一个(不是紧急的)裂纹,缺陷,形状孔或孔的保护层