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复合型碳硅负极基材的制造方法及由该制造方法所制成的复合型碳硅负极基体

摘要

本发明是一种复合型碳硅负极基材的制造方法及由该制造方法所形成的复合型碳硅负极基体,该复合型碳硅负极基体包括第一阶碳硅球,包括多个石墨烯片、多个纳米级硅与氧化硅的复合单体及多个第一高分子材质;该第一高分子材质作为黏着剂用于连结该多个石墨烯片及该多个纳米级硅与氧化硅的复合单体;其中该多个石墨烯片、该多个纳米级硅与氧化硅的复合单体及该多个第一高分子材质之间形成多个缓冲空隙;第二高分子材质层包覆在该第一阶碳硅球的外部;该第二高分子材质层经过烧结,使得糖类产生碳化,以增加整体复合型碳硅负极基体的结构能力;以及多个纳米碳管紧紧包裹该第二高分子材质层,其具有的紧束作用,使得其内部的该第一阶碳硅球不易膨胀。

著录项

  • 公开/公告号CN112086624B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022.11.29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 芯量科技股份有限公司;

    申请/专利号CN201910505503.7

  • 发明设计人 赖鸿政;林正崧;张曾隆;

    申请日2019.06.12

  • 分类号H01M4/36;H01M4/38;H01M4/48;H01M4/62;

  • 代理机构深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司;

  • 代理人刘龄霞;袁建设

  • 地址 中国台湾新竹科学园区力行五路9号5楼

  • 入库时间 2022-12-29 02:02:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-11-29

    授权

    发明专利权授予

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