公开/公告号CN112086624B
专利类型发明专利
公开/公告日2022.11.29
原文格式PDF
申请/专利权人 芯量科技股份有限公司;
申请/专利号CN201910505503.7
申请日2019.06.12
分类号H01M4/36;H01M4/38;H01M4/48;H01M4/62;
代理机构深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司;
代理人刘龄霞;袁建设
地址 中国台湾新竹科学园区力行五路9号5楼
入库时间 2022-12-29 02:02:05
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-11-29
授权
发明专利权授予
机译: 非水二次电池用负极;非水二次电池;负极活性物质;负极活性物质的制造方法。复合体,包括纳米硅,碳层和阳离子聚合物层;和制造由纳米硅和碳层构成的复合体的方法
机译: 负极二次电池负极,负极二次电池,负极活性物质及其制造方法,包括纳米硅的复合材料,碳层和阳离子聚合物层的复合制造方法以及包含复合材料的碳的制造方法
机译: 负极二次电池负极,负极二次电池,负极活性物质及其制造方法,包括纳米硅的复合材料,碳层和阳离子聚合物层的复合制造方法以及包含复合材料的碳的制造方法