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公开/公告号CN113173606B
专利类型发明专利
公开/公告日2022.11.22
原文格式PDF
申请/专利权人 北京工业大学;
申请/专利号CN202110385279.X
发明设计人 赵煜娟;候辰;余乐乐;邢依然;司永恒;卢寒;
申请日2021.04.09
分类号H01M4/505;C01G53/00;G16C20/10;H01M4/525;H01M10/0525;
代理机构北京思海天达知识产权代理有限公司;
代理人刘萍
地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号
入库时间 2022-12-29 02:01:09
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-11-22
授权
发明专利权授予
机译: 包含富锂锂锰基氧化物并进一步包含锂钨化合物的正极活性材料,或另外包含富锂锂锰基氧化物上的钨化合物,以及包含该活性材料的锂二次电池正极
机译: 包含锂富锂锰基氧化物并进一步包含锂钨化合物或锂富锰酸锂基氧化物上的其他钨化合物的正电极活性材料,以及包含相同成分的锂二次电池正极
机译: 镍-锰-钴基复合氧化物,层状锂-镍-锰-钴基复合氧化物,锂二次电池的正极材料,使用该材料的正极和锂二次电池
机译:通过密度泛函理论(DFT)计算选择富锂锰基阴极材料的取代元素
机译:通过一种简单的方法合成用于锂离子电池的纳米铁锰基富锂正极材料
机译:铬取代对改善低成本铁锰基富锂层状氧化物作为锂离子电池正极材料的电化学性能的影响
机译:基于密度泛函理论的第一性原理模拟稀土基快速氧离子导体的计算材料设计
机译:调整后的密度泛函理论应用于随时间变化的光学和按摩特性的密度泛函理论计算。
机译:通过核共振振动和共振拉曼光谱力场模拟和密度泛函理论计算4FE-4S群体中4FE-4S群体的动力学。核共振振动和共振拉曼光谱力场模拟和密度泛函理论计算
机译:锂离子电池层状/尖晶石异质结构富锂和锰基正极材料的溶剂热合成及性能
机译:用于密度泛函理论(DFT)的单位晶胞的计算方法计算二维纳米片的异质结构的电子能带结构。