公开/公告号CN111341724B
专利类型发明专利
公开/公告日2022.11.04
原文格式PDF
申请/专利权人 上海新微技术研发中心有限公司;
申请/专利号CN201811561799.6
申请日2018.12.19
分类号H01L21/762;
代理机构北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人刘元霞
地址 201800 上海市嘉定区城北路235号3号楼
入库时间 2022-11-28 17:54:09
机译: 具有气隙的浅沟槽隔离结构,使用该浅沟槽隔离结构的CMOS图像传感器及其制造方法
机译: 形成凹凸浅沟槽隔离结构的方法和浅沟槽隔离结构
机译: 浅沟槽隔离结构和形成浅沟槽隔离结构的方法