测量VCSEL器件多层膜元素扩散的样品制备方法以及检测方法

摘要

本发明涉及材料样品检测技术领域，尤其涉及测量VCSEL器件多层膜元素扩散的样品制备方法以及VCSEL器件多层膜元素扩散的检测方法。测量VCSEL器件多层膜元素扩散的样品制备方法，包括以下步骤：从VCSEL器件中切取含有目标膜层的待测块并将待测块周围的氮化硅介质层去除；待测块向目标膜层方向削薄，直到距离目标膜层100‑500纳米，削薄后得到的待测面平整且待测面与目标膜层平行；得到的待测块的待测面用于TOF‑SIMS分析。该方法提供的制样可使小样品待测面在水平状态；消除边缘效应；消除VCSEL环形电极以及器件表面凸凹结构的影响。可以保证深度分析所需的主束流和溅射束流双束流的准直必须的要求，得到正确的深度分析信号。