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公开/公告号CN114286875B
专利类型发明专利
公开/公告日2022.08.19
原文格式PDF
申请/专利权人 株式会社明电舍;
申请/专利号CN202080060774.7
发明设计人 龟田直人;三浦敏德;花仓满;
申请日2020.04.22
分类号C23C16/455(2006.01);C23C16/40(2006.01);H01L21/31(2006.01);H01L21/316(2006.01);
代理机构中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038;
代理人王庆华
地址 日本东京
入库时间 2022-09-26 23:16:40
机译: 在基板上产生隔离薄膜的过程包括基板上硅原子层的原子沉积,基板上硅原子层上的氧原子层和基板上金属原子层的原子沉积,金属原子层上的氧原子层的原子沉积。
机译: 能够在衬底上移动多个第二原子层和在衬底上移动多个第一原子层的原子层沉积设备,以及使用该方法的原子层沉积方法
机译: 原子层沉积设备,使用原子层沉积设备的成膜方法以及原子层沉积设备的清洁方法
机译:使用Al_2O_3原子层沉积粘附层改善SiLK低介电常数聚合物介电层上TiN原子层沉积膜的成核作用
机译:使用乙醇作为乙醇作为前体反应物和表面预沉积处理的氧化锆基底选择性原子层沉积的基材选择性原子层沉积
机译:原子层沉积:通过原子层沉积辅助的保形物理气相沉积及其可拉伸导体的应用(ADV。母体。界面22/2018)
机译:以先进微系统的原子力显微镜原子力显微镜原子层沉积原子层沉积的原子层沉积
机译:用原子层沉积制备锰氧化物基水氧化催化剂的模型系统研究=用原子层沉积与锰基水氧化催化剂分离的模型系统研究
机译:单晶超薄均质纳米颗粒层的非真空沉积突破:化学浴沉积和原子层沉积的更好替代方法
机译:GaAs阳极原子层沉积原子层沉积产生的防护层的失效模式
机译:用于提供和集成通用金属输送源(GmDs)与原子层沉积(aLD)的方法和装置。