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一种基于电荷窄化吸收效应的光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于电荷窄化吸收效应的光电探测器及其制备方法,目的在于解决现有钙钛矿光电探测器的半波峰宽大,以及只能单一波段探测能力的问题,包括玻璃基板,透明导电电极层,双窄带控制层、钙钛矿敏感层、电子传输层,空穴阻挡层和金属电极层,玻璃基板上蒸镀有透明导电电极层,透明导电电极层上从下至上依次旋涂有双窄带控制层、钙钛矿敏感层和电子传输层,在电子传输层上自下而上依次蒸镀有空穴阻挡层和金属电极层,有效地窄化了光探测器的半波峰宽,提高了钙钛矿光探测器的探测性能,且制备方法简单高效,适用于规模化生产。

著录项

  • 公开/公告号CN111883668B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-06-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN202010887432.4

  • 发明设计人 黄江;李娜;贾晓伟;刘洁尘;

    申请日2020-08-28

  • 分类号H01L51/46;H01L51/44;H01L51/42;H01L51/48;

  • 代理机构成都弘毅天承知识产权代理有限公司;

  • 代理人梁伟东

  • 地址 611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号

  • 入库时间 2022-08-23 13:49:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-06-10

    授权

    发明专利权授予

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