导电结构电性缺陷分析方法、电性参数分析方法及系统

摘要

本公开提供一种导电结构电性参数分析方法、导电结构电性缺陷分析方法及导电结构电性参数分析系统，涉及半导体技术领域。该分析方法包括：根据预设的图形化工艺步骤形成间隔排布的线形导电结构，导电结构由多个线形前序图形结构形成，各前序图形结构分别对应不同的图形化工艺；获取任一前序图形结构的图案化参数；根据图案化参数计算导电结构的电阻变化值及电容变化值；根据电阻变化值和电容变化值计算前序图形结构的图案化参数对导电结构的导电速率变化值。本公开的分析方法可为后续进行工艺改进提供数据支持。