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一种可指定晶格各向异性性能的晶格结构设计方法

摘要

本发明涉及一种可指定晶格各向异性性能的晶格结构设计方法,属于多孔晶格结构的设计与性能控制技术领域。通过建立不同层的晶格结构与调整晶格层之间的参数实现晶格的各向异性控制。得到二层晶格模型的参数与各向异性指数的映射函数三层晶格模型的参数与各向异性指数的映射函数指定待设计晶格的各项异性指数为A,若|A–A3_ave|>|A–A2_ave|,则选定二层晶格桁架结构作为目标结构,并利用映射函数求得晶格参数;否则选定三层晶格桁架结构作为目标结构,并利用映射函数求得晶格结构设计参数。实现晶格各向异性的参数化设计。

著录项

  • 公开/公告号CN112926235B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-04-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江大学;

    申请/专利号CN202110111658.X

  • 发明设计人 冯嘉炜;刘博;林志伟;傅建中;

    申请日2021-01-27

  • 分类号G06F30/23;G06F113/10;G06F119/14;

  • 代理机构杭州天勤知识产权代理有限公司;

  • 代理人颜果

  • 地址 310013 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

  • 入库时间 2022-08-23 13:32:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-04-26

    授权

    发明专利权授予

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