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降本增效的硅片边缘抛光工艺

摘要

本发明涉及一种降本增效的硅片边缘抛光工艺,所属硅片制造技术领域,包括将硅片通过机械手取片,先对背面进行端面位抛光,完成抛光后进行喷淋清洗。接着对将硅片进行翻面,对正面进行端面位抛光,并进行喷淋清洗。外周边抛光过程从背面侧边的A2段开始进刀,经过BC段,再加工正面侧边的A1段,接着从A1段的尾端折回继续抛光从BC段的上端退刀,完成硅片外周边抛光过程后进行喷淋清洗。硅片两端通过单方向循环运行的精抛带,此时转轴带动磁盘固定的硅片进行旋转。将完成抛光工艺的硅片通过机械手取片放置到溢流槽进行保管。具有效率高、加工周期短和质量稳定性好的特点。解决了确保边抛质量同时缩短边抛时间的问题。实现产能提升并降低成本的作用。

著录项

  • 公开/公告号CN113084598B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-04-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司;

    申请/专利号CN202110361875.4

  • 发明设计人 王鸣;

    申请日2021-04-02

  • 分类号B24B1/00(20060101);B24B21/00(20060101);

  • 代理机构33266 杭州融方专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人沈相权

  • 地址 311201 浙江省杭州市钱塘新区东垦路888号

  • 入库时间 2022-08-23 13:23:31

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-04-05

    授权

    发明专利权授予

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