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基于施密特触发电路的P型半堆叠式亚阈值标准单元

摘要

本发明公开了一种基于施密特触发电路的P型半堆叠式亚阈值标准单元,包括上拉网络、下拉网络、栅极反馈PMOS堆叠模块和并联NMOS模块组,上拉网络由n个PMOS管串联构成,具有n‑1个堆叠结点,下拉网络由n个NMOS管并联构成,栅极反馈PMOS堆叠模块由n‑1个PMOS管构成,并联NMOS模块组由n‑1个并联NMOS模块构成;优点是当栅极反馈PMOS堆叠模块和并联NMOS模块组同时导通时,对n‑1个堆叠结点处电容放电,减少了上拉网络的漏电流,同时由于上拉网络、栅极反馈PMOS堆叠模块和并联NMOS模块组构成的施密特触发电路的迟滞特性,改善了电路的VTC曲线并增加了上拉网络的开关阈值,提升了稳定性与可靠性。

著录项

  • 公开/公告号CN113328741B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 宁波大学科学技术学院;

    申请/专利号CN202110515215.7

  • 发明设计人 杨润萍;殷金曙;杜世民;韩金亮;

    申请日2021-05-12

  • 分类号H03K19/20(20060101);H03K19/003(20060101);

  • 代理机构33226 宁波奥圣专利代理有限公司;

  • 代理人方小惠

  • 地址 315212 浙江省宁波市镇海区庄市街道毓秀路505号

  • 入库时间 2022-08-23 13:20:38

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-29

    授权

    发明专利权授予

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