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公开/公告号CN109891283B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-17
原文格式PDF
申请/专利权人 三菱电机株式会社;
申请/专利号CN201780062844.0
发明设计人 外间洋平;秋山浩一;
申请日2017-09-13
分类号G02B6/122(20060101);G02F1/025(20060101);H01S5/026(20060101);
代理机构11038 中国贸促会专利商标事务所有限公司;
代理人金春实
地址 日本东京
入库时间 2022-08-23 12:19:30
机译: 半导体光波导的结构以及利用该结构的光放大器,光调制器,光产生器以及光集成电路的空半导体基板
机译: 用于光半导体的热固性组合物,用于光半导体元件的芯片接合材料,用于光半导体元件的底部填充材料,用于光半导体元件的密封剂和光半导体元件
机译: 照明装置用于汽车的尾灯,具有不透明的光提取元件,该不透明的光提取元件布置在光源和光波导之间,并且光提取元件和光波导通过闩锁保持在一起。
机译:指向光网络创建的光半导体集成技术-晶体生长技术和用于通信的光半导体集成元件的处理过程故障技术
机译:波分复用无源光网络中的10 Gbps无色光源,用于单层集成具有平面埋藏式超结构半导体光放大器的深波导波导电吸收调制器
机译:使用非对称双波导技术将半导体光放大器(SOA)与高速波导p-i-n光电二极管进行单片集成
机译:与硅隔离物局部氧化的互补金属氧化物半导体绝缘体上硅绝缘光肋波导。
机译:单模电-有源集成的光阻抗谱光波导
机译:使用无源波导和集成半导体光放大器的环形谐振器激光器
机译:半导体光放大器在波分复用光子集成电路中的集成。选区化学束外延的应用。