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用于利用激光增强电子隧穿效应检测深度特征中的缺陷的方法

摘要

一种用于基于激光增强电子隧穿效应来检测诸如沟道孔、过孔孔或沟槽的深度特征中的缺陷的方法。提供具有位于其上的膜堆叠层的衬底。在膜堆叠层中形成第一和第二深度特征。第一深度特征具有设置在其底部的牺牲氧化物层。第二深度特征包括欠蚀刻缺陷。牺牲氧化物层具有低于50埃的厚度。使衬底经受激光增强电子束检查过程。用电子束对衬底进行扫描,并且用激光束对衬底进行照射。激光束诱发跨越牺牲保护层的电子隧穿,由此俘获对应于第一深度特征的亮电压衬度(BVC)信号,并且检测对应于第二深度特征的暗电压衬度(DVC)信号。

著录项

  • 公开/公告号CN110876279B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-03-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 长江存储科技有限责任公司;

    申请/专利号CN201980002417.2

  • 发明设计人 聂胜超;陈金星;任军奇;

    申请日2019-10-12

  • 分类号H01L21/66(20060101);

  • 代理机构11376 北京永新同创知识产权代理有限公司;

  • 代理人林锦辉;刘景峰

  • 地址 430074 湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室

  • 入库时间 2022-08-23 11:34:51

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