拓扑发光体异质相掺杂的MgB₂基超导体及其制备方法

摘要

本发明涉及一种拓扑发光体异质相掺杂的MgB₂基超导体及其制备方法，利用拓扑发光体掺杂改变MgB₂基超导体的超导转变温度。本发明采用水热法制备了三种拓扑发光体：微米片m‑Y₂O₃:Eu³⁺/Ag，纳米片n‑Y₂O₃:Eu³⁺/Ag和n‑Y₂O₃:Eu³⁺/AgCl。异位掺杂法制备拓扑发光体异质相掺杂的MgB₂基超导体。通过改变掺杂剂的尺寸、Ag含量以及掺杂剂的质量分数等因素，研究掺杂样品的超导转变温度的变化。实验中发现当使用n‑Y₂O₃:Eu³⁺/AgCl作为掺杂剂，且掺杂浓度为1％时，掺杂的MgB₂基超导体的转变温度高于对应的纯MgB₂样品。