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集成原子级工艺：ALD(原子层沉积)和ALE(原子层蚀刻)

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摘要

本发明涉及集成原子级工艺：ALD(原子层沉积)和ALE(原子层蚀刻)，具体提供了用于通过在同一室或反应器中进行两个工艺集成原子层蚀刻和原子层沉积的方法。所述方法涉及在蚀刻过程中依次交替原子层蚀刻和原子层沉积工艺以保护特征免受劣化，改善选择性以及对半导体衬底的敏感层进行封装。

公开/公告号CN108807128B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-24

原文格式PDF
申请/专利权人朗姆研究公司;
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申请/专利号CN201810642746.0
发明设计人克伦·雅各布斯·卡纳里克;杰弗里·马克斯;哈梅特·辛格;萨曼莎·坦;亚历山大·卡班斯凯;杨文斌;特塞翁格·金姆;丹尼斯·M·豪斯曼;索斯藤·利尔;
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申请日2016-01-12
分类号H01J37/32(20060101);H01L21/67(20060101);H01L21/3213(20060101);H01L43/12(20060101);H01L21/316(20060101);
代理机构31263 上海胜康律师事务所;
代理人樊英如;张静
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 11:22:25

1. 集成原子级工艺：ALD（原子层沉积）和ALE（原子层蚀刻） [P] . 中国专利： CN112530789A . 2021-03-19
2. 集成原子级工艺：ALD（原子层沉积）和ALE（原子层蚀刻） [P] . 中国专利： CN108807128A . 2018-11-13
3. Integrating atomic scale processes: ALD (atomic layer deposition) and ale (atomic layer etch) [P] . 美国专利： US10186426B2 . 2019-01-22

机译：集成原子尺度工艺：ALD（原子层沉积）和ale（原子层蚀刻）
4. Integrating atomic scale processes: ALD (atomic layer deposition) and ALE (atomic layer etch) [P] . 美国专利： US10515816B2 . 2019-12-24

机译：集成原子尺度工艺：ALD（原子层沉积）和ALE（原子层蚀刻）
5. Integrating atomic scale processes: ALD (atomic layer deposition) and ALE (atomic layer etch) [P] . 美国专利： US9805941B2 . 2017-10-31

机译：集成原子尺度工艺：ALD（原子层沉积）和ALE（原子层蚀刻）