公开/公告号CN109496359B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-04-28
原文格式PDF
申请/专利权人 长江存储科技有限责任公司;
申请/专利号CN201880001999.8
申请日2018-10-08
分类号H01L27/11578(20170101);
代理机构11376 北京永新同创知识产权代理有限公司;
代理人钟胜光
地址 430074 湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
入库时间 2022-08-23 10:57:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-04-28
授权
授权
2019-04-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/11578 申请日:20181008
实质审查的生效
2019-04-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11578 申请日:20181008
实质审查的生效
2019-03-19
公开
公开
2019-03-19
公开
公开
2019-03-19
公开
公开
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机译: 具有原生氧化层通道结构的三维存储器件的形成方法
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