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一种降低失调影响的低噪声带隙基准电路

摘要

一种降低失调影响的低噪声带隙基准电路,属于集成电路领域。包括电流源模块、PTAT电压产生模块和带隙基准电压产生模块,PTAT电压产生模块用于产生PTAT电压;电流源模块用于给PTAT电压产生模块中的NPN晶体管提供成比例的电流,同时给带隙基准电压产生模块中的两条支路提供成比例的电流;带隙基准电压产生模块用于利用PTAT电压产生带隙基准电压。本发明提出的带隙基准电路利用运算放大器钳位流过两个NPN晶体管的集电极电流的比例,通过电压叠加实现两个NPN晶体管的基极发射极电压差的差值,显著降低了运放输入失调电压和噪声电压到带隙基准输出电压的增益,从而降低了运放失调和噪声对输出电压的影响。

著录项

  • 公开/公告号CN109471486B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-03-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN201910031872.7

  • 发明设计人 李靖;张哲;张启辉;

    申请日2019-01-14

  • 分类号G05F1/575(20060101);

  • 代理机构51232 成都点睛专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人葛启函

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2022-08-23 10:53:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-03-17

    授权

    授权

  • 2019-04-09

    实质审查的生效 IPC(主分类):G05F1/575 申请日:20190114

    实质审查的生效

  • 2019-04-09

    实质审查的生效 IPC(主分类):G05F 1/575 申请日:20190114

    实质审查的生效

  • 2019-03-15

    公开

    公开

  • 2019-03-15

    公开

    公开

  • 2019-03-15

    公开

    公开

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