含多层氧氮化物层的氧化物-氮化物-氧化物堆栈

摘要

本发明公开了一种含有多层电荷存储层的氧化物‑氮化物‑氧化物(ONO)堆栈的半导体器件及其形成方法。通常，该方法涉及：(i)形成ONO结构上的第一氧化物层；(ii)在第一氧化物层上形成含有氮化物的多层电荷存储层；以及(iii)在多层电荷储存层上形成ONO结构第二氧化物层。优选的是电荷存储层包含至少两个含有不同氧，氮，和/或硅化学组成比的硅氧氮化物层。更优选的是ONO结构是硅‑氧化物‑氮化物‑氧化物‑硅(SONOS)结构的一部分，且该半导体器件是SONOS存储晶体管。