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漏液引流组件、漏液收集装置和晶体生长装置

摘要

本实用新型公开了一种漏液引流组件、漏液收集装置和晶体生长装置,漏液引流组件包括承接件和密封件,承接件限定出用于承接从坩埚泄漏的硅熔液的承接腔,承接件形成有与承接腔连通的导流通道,导流通道的入口形成于承接腔的底壁;密封件设于导流通道内用于封堵导流通道,密封件包括第一可熔部,第一可熔部从密封件在导流通道延伸方向上的一侧表面延伸至另一侧表面,第一可熔部的熔点不高于硅熔液的熔点。根据本实用新型的漏液引流组件,可以防止外界气体从导流通道流入晶体生长装置内,保证硅晶体的生产质量,承接并引流泄漏的硅熔液,有效地对热场进行保护,降低硅熔液泄漏所造成的经济损失,提高晶体生长装置的整体性能。

著录项

  • 公开/公告号CN218203162U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2023-01-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 徐州鑫晶半导体科技有限公司;

    申请/专利号CN202222773150.9

  • 发明设计人 陈俊宏;

    申请日2022-10-20

  • 分类号C30B15/00;C30B29/06;

  • 代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人雷玉龙

  • 地址 221004 江苏省徐州市经济技术开发区鑫芯路1号

  • 入库时间 2023-01-12 18:57:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-01-03

    授权

    实用新型专利权授予

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