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公开/公告号CN218203025U
专利类型实用新型
公开/公告日2023-01-03
原文格式PDF
申请/专利权人 宁波江丰电子材料股份有限公司;
申请/专利号CN202120620458.2
发明设计人 姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;王少平;
申请日2021-03-26
分类号C23C14/35;
代理机构北京远智汇知识产权代理有限公司;
代理人王岩
地址 315400 浙江省宁波市余姚市经济开发区名邦科技工业园区安山路
入库时间 2023-01-09 22:05:22
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-01-03
授权
实用新型专利权授予
机译: 用于通过磁控溅射沉积不同材料的合金,混合物或不同产物的反应层的涂覆装置具有由同心布置的局部靶材制成的靶材,每个靶材均由待沉积材料制成
机译: 用于大面积玻璃基板上的相同电流磁控溅射层的方法,靶材以及靶材的制造方法
机译: 线性扫描磁控溅射阴极和扫描在线系统,用于无电弧反应沉积和高靶材利用率
机译:在Pt,Au,Pd和混合靶材放电后高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)中证明和测量金属离子分数的有效方法
机译:高功率脉冲磁控溅射从复合靶材生长的ZrB_2薄膜
机译:使用各种靶材-反应气体组合研究反应性高功率脉冲磁控溅射工艺
机译:陶瓷和金属旋转靶材通过脉冲直流磁控溅射在低温下沉积的高导电性和透明ITO膜
机译:用于互连金属化的高功率脉冲磁控溅射和调制脉冲功率溅射的比较。
机译:磁控溅射聚合物靶材:从薄膜到非均质金属/等离子聚合物纳米颗粒
机译:磁控溅射从复合靶材上沉积的低氧化学计量外延ZrB2薄膜:沉积温度和溅射功率的影响
机译:高功率密度开发项目设计和制造用于VBWR辐照测试的高功率密度燃料组件