法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-01-13
专利权的转移 IPC(主分类):H01L31/078 登记生效日:20151221 变更前: 变更后: 申请日:20101111
专利申请权、专利权的转移
2012-01-11
授权
授权
机译: 异质外延单晶的制造方法,异质结太阳电池的制造方法,异质外延单晶的晶体,异质结太阳电池
机译: 制造异质结鳍片结构的方法,具有异质结鳍片结构的半导体器件,基于异质结鳍片结构的制造Fin-HFET的方法以及基于异质结鳍片结构的fin-HFET
机译: 包含中间同质结的双异质结激光器