首页> 中国专利> 一种二维硅基光子晶体线缺陷慢光波导装置

一种二维硅基光子晶体线缺陷慢光波导装置

摘要

本发明属于光学设备制造技术领域,涉及一种二维硅基光子晶体线缺陷慢光波导装置,二维硅片的表面上沿二维硅片的硅片长边的方向顺序排列刻蚀制有单轴对称圆弓形散射元,二维硅片的对称轴处留有一排没有刻蚀制有单轴对称圆弓形散射元而形成线缺陷;相邻的单轴对称圆弓形散射元的中心在二维硅片的表面上呈等边六边形排列,单轴对称圆弓形散射元为两个半圆缺对合构成;二维硅片上分别依次排列挖制的单轴对称圆弓形散射元为通透结构;线缺陷的方向与单轴对称圆弓形散射元的长轴方向平行;其结构简单,体积小,成本低,稳定性高,效率高,简单易行,群折射率高,慢光带宽大,信号保真好,可广泛应用于太阳能光电转换和光子晶体发光技术领域。

著录项

  • 公开/公告号CN103176328B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-04-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 青岛大学;

    申请/专利号CN201310124391.3

  • 申请日2013-04-11

  • 分类号

  • 代理机构青岛高晓专利事务所;

  • 代理人张世功

  • 地址 266061 山东省青岛市崂山区香港东路7号

  • 入库时间 2022-08-23 09:24:48

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-03-27

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G02F1/365 授权公告日:20150408 终止日期:20190411 申请日:20130411

    专利权的终止

  • 2018-06-01

    著录事项变更 IPC(主分类):G02F1/365 变更前: 变更后: 申请日:20130411

    著录事项变更

  • 2018-06-01

    著录事项变更 IPC(主分类):G02F 1/365 变更前: 变更后: 申请日:20130411

    著录事项变更

  • 2015-04-08

    授权

    授权

  • 2015-04-08

    授权

    授权

  • 2015-04-08

    授权

    授权

  • 2013-07-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02F1/365 申请日:20130411

    实质审查的生效

  • 2013-07-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02F 1/365 申请日:20130411

    实质审查的生效

  • 2013-07-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02F 1/365 申请日:20130411

    实质审查的生效

  • 2013-06-26

    公开

    公开

  • 2013-06-26

    公开

    公开

  • 2013-06-26

    公开

    公开

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