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掺辛酸钕的聚合物光纤及其制备方法

摘要

本发明掺辛酸钕的聚合物光纤及其制备方法,特征是将碳酸钕与甲醇和辛酸于60±20℃反应,用界面扩散法析出辛酸钕晶体;按纤芯中掺辛酸钕的浓度为10~1500ppm要求称取适量的辛酸钕,加入引发剂偶氮二异丁氰0.01±0.005mol/l和链转移剂正丁基硫醇30~50μl/10mlMMA,将反应容器的温度控制在75~95℃,搅拌预聚合至1.5~5倍甘油粘度,再在40~65℃聚合至固化得预制棒,拉制成芯径为300~1500um的光纤;外表涂上折射率小于纤芯折射率的树脂层,固化后即得纤芯掺有螯合式辛酸钕的聚甲基丙烯酸甲酯聚合物光纤;本发明光纤克服了现有掺稀土聚合物光纤中稀土离子相容性差的问题,光学性能稳定,芯径大,原料及接续成本低,光通讯窗口在650nm,在全光通信、医学、传感器和光谱学领域将有十分重要的应用。

著录项

  • 公开/公告号CN1160387C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2004-08-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学技术大学;

    申请/专利号CN01127001.2

  • 发明设计人 叶继春;张其锦;许杰;

    申请日2001-07-17

  • 分类号C08F20/14;C08F2/44;G02B6/16;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 230026 安徽省合肥市金寨路96号汪祥虬

  • 入库时间 2022-08-23 08:56:41

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2006-09-13

    专利权的终止未缴年费专利权终止

    专利权的终止未缴年费专利权终止

  • 2004-08-04

    授权

    授权

  • 2003-08-06

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-02-19

    公开

    公开

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