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TFT液晶面板的物理性质测量方法及TFT液晶面板的物理性质测量装置

摘要

本发明提供一种TFT液晶面板的物理性质测量方法,是TFT液晶面板(4,400)的物理性质测量方法,其具有:阻抗设定步骤(步骤S1、步骤S11、步骤S12),将所述TFT液晶面板(4,400)的TFT(4A,400A)的源极(42A,420A)-漏极(43A,430A)间的阻抗值设定为规定值以下的值;电压施加步骤(步骤S2、步骤S13),对所述TFT液晶面板(4,400)的液晶层(4B、400B)施加周期性地变化的电压;物理性质测量步骤(步骤S3、步骤S4、步骤S14、步骤S15),测量在利用所述电压施加步骤(步骤S2、步骤S13)施加了所述周期性地变化的电压的所述液晶层(4B、400B)中流过的过渡电流,测量所述液晶层(4B、400B)的物理性质。

著录项

  • 公开/公告号CN101589338B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-09-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN200880003082.8

  • 申请日2008-01-16

  • 分类号G02F1/1368(20060101);G02F1/13(20060101);

  • 代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人雒运朴;李伟

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2022-08-23 09:20:38

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-09-10

    授权

    授权

  • 2010-02-17

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-11-25

    公开

    公开

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