公开/公告号CN102137959B
专利类型发明专利
公开/公告日2014-07-30
原文格式PDF
申请/专利权人 国立大学法人广岛大学;
申请/专利号CN200980134165.5
申请日2009-08-28
分类号
代理机构北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司;
代理人王达佐
地址 日本广岛县
入库时间 2022-08-23 09:20:05
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-10-19
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 29/06 授权公告日:20140730 终止日期:20150828 申请日:20090828
专利权的终止
2014-07-30
授权
授权
2011-09-07
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/06 申请日:20090828
实质审查的生效
2011-07-27
公开
公开
机译: 晶体半导体膜的制造方法,晶体半导体膜的制造装置及晶体半导体膜的制造装置的控制方法
机译: 晶体半导体膜的制造方法,晶体半导体膜的制造装置以及晶体半导体膜的制造装置的控制方法
机译: 包括球形氧化锌晶体的物品的制造方法,包括球形氧化锌晶体的物品,场效应晶体管,电子设备,包含电子的器具的制造装置,带顶针的环氧化物,晶体,化合物的制造装置