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公开/公告号CN115573030A
专利类型发明专利
公开/公告日2023-01-06
原文格式PDF
申请/专利权人 山东大学;
申请/专利号CN202211312028.X
发明设计人 谢雪健;王兴龙;徐现刚;陈秀芳;胡小波;
申请日2022-10-25
分类号C30B23/00;C30B29/36;
代理机构济南圣达知识产权代理有限公司;
代理人李琳
地址 250014 山东省济南市历城区山大南路27号
入库时间 2023-06-19 18:13:00
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-01-06
公开
发明专利申请公布
机译: 用于碳化硅单晶生长籽晶的碳化硅单晶生长籽晶的制造方法,碳化硅单晶的制造方法以及碳化硅单晶
机译: 碳化硅单晶生长的坩埚,使用碳化硅单晶制造碳化硅单晶的方法以及碳化硅单晶锭
机译: 用于生长碳化硅单晶的种子晶体,碳化硅单晶锭,碳化硅单晶硅片以及制备碳化硅单晶的方法
机译:高温化学气相沉积系统中碳化硅单晶生长速率的数值研究
机译:使用竞争晶格模型Monte Carlo模拟分析PVT生长的碳化硅单晶的多型稳定性。
机译:在具有(1122)晶面的种子上生长4H多型碳化硅单晶
机译:物理蒸汽运输升华碳化硅单晶升华生长期间的传热
机译:PVT生长的4H-碳化硅单晶中扩展缺陷的演变。
机译:碳化硅-碳化硅纳米粒子在硅晶片表面的生长和自组装成蠕虫状纳米杂化结构。
机译:用竞争晶格模型monte Carlo模拟分析pVT生长碳化硅单晶的多型稳定性
机译:碳化硅和碳化硅单晶CVD生长过程中缺陷成核的原位研究;最终的项目报告。 2007年1月至2008年4月