法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-01-06
公开
发明专利申请公布
机译: 使用指示至少一种尖端到尖端的短路或泄漏,至少一种尖端到一侧的短路或泄漏以及至少一种倒角短路或泄漏的非接触电测量来处理半导体晶片的方法,其中这种测量从与各个尖端到尖端的短路,尖端到一侧的短路和倒角短路测试区域相关的非接触焊盘获得
机译: 使用指示至少一个倒角短路或泄漏,至少一个拐角短路或泄漏以及至少一个通孔或电阻的非接触电测量来处理半导体晶片的方法,其中从相关的非接触焊盘获得此类测量分别具有倒角短,角短和通孔测试区域
机译: 使用指示至少一种尖端到尖端的短路或泄漏,至少一种通孔倒角或泄漏,以及至少一种拐角短路或泄漏的非接触电测量来处理半导体晶片的方法,其中获得了这些测量值使用带束偏转的带电粒子束检查器从具有相应的尖端到尖端短,通孔倒角短和拐角短测试区域的单元中进行位移