公开/公告号CN115537773A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-12-30
原文格式PDF
申请/专利权人 广东先导微电子科技有限公司;
申请/专利号CN202211222238.X
申请日2022-10-08
分类号C23C16/34;C23C16/56;B28D1/22;B24B1/00;C30B15/10;C30B29/48;
代理机构北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人张向琨
地址 511517 广东省清远市高新区创兴三路16号A车间
入库时间 2023-06-19 18:09:45
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-12-30
公开
发明专利申请公布
机译: -GaAs单晶制造中PBN坩埚的表面处理方法和装置
机译: PBN(热解氮化硼)坩埚残渣的取出方法及装置
机译: 掺氢硅粉,其制备方法,使用该方法制备的石英玻璃坩埚以及制备该坩埚的方法