法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-12-30
公开
国际专利申请公布
机译: 用于制造晶体管和n型oppervlaktedeel的方法,由第一和第二部分的第一束硼化硼与第二部分中的一束硼化硼形成第二半硼化硼的ap型基础,并植入到oppervlaktedeel和其中基极类型为发射极基元的是gewerkwijze,用于制造晶体管,n型基极是由第一束硼化物形成的半geleideriderlichaam ap型基基。
机译: 一束束的对称化和均匀化的组合元素
机译: 一束束的对称化和均匀化的组合元素