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氮化铝衬底的制造方法、氮化铝衬底以及形成氮化铝层的方法

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本发明要解决的问题在于提供一种能够制造大口径的AlN衬底的新颖技术。本发明涉及一种AlN衬底的制造方法，包括在具有贯通孔(11)的SiC基底衬底(10)上形成AlN层(20)的晶体生长步骤(S30)。此外，本发明还涉及一种形成AlN层(20)的方法，包括在SiC基底衬底(10)的表面上形成AlN层(20)之前在SiC基底衬底(10)上形成贯通孔(11)的贯通孔形成步骤(S10)。

著录项

公开/公告号CN115443352A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-12-06

原文格式PDF
申请/专利权人学校法人关西学院;东洋铝株式会社;丰田通商株式会社;
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申请/专利号CN202180028128.7
发明设计人金子忠昭;堂岛大地;松原萌子;西尾佳高;
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申请日2021-03-30
分类号C30B29/38;C30B23/06;
代理机构北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人方挺;侯晓艳
地址日本国兵库县
入库时间 2023-06-19 17:51:41

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法律状态
2022-12-06

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