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一种基于负电压自举电容的互补型自举开关及工作方法

摘要

本发明涉及一种基于负电压自举电容的互补型自举开关及工作方法,包括NMOS采样开关控制部分和PMOS采样开关控制部分,其中:NMOS采样开关控制部分包括第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管,所述第一NMOS晶体管包括M3、M4、M5、M6、M7、M9、M10和M13,所述第一PMOS晶体管包括M1、M2、M8、M11和M12;本发明采用开关由NMOS晶体管和PMOS晶体管构成,减小了沟道电荷注入效应;在关键节点引入自举电容,减小MOS晶体管的宽长比,进而减小寄生电容。在高速采样频率下提升了自举开关的性能。

著录项

  • 公开/公告号CN115425977A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-12-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 山东大学;

    申请/专利号CN202210922150.2

  • 申请日2022-08-02

  • 分类号H03M1/12;H03K17/687;

  • 代理机构济南金迪知识产权代理有限公司;

  • 代理人杨树云

  • 地址 250199 山东省济南市历城区山大南路27号

  • 入库时间 2023-06-19 17:48:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-12-02

    公开

    发明专利申请公布

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