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一种静电放电模拟器的辐射处理方法及静电放电模拟器

摘要

本申请实施例提供了一种静电放电模拟器的辐射处理方法及静电放电模拟器,该静电放电模拟器包括:继电器与屏蔽层,其中,该屏蔽层,用于屏蔽该继电器,根据分布电容调整该静电放电模拟器内置的储能电容的方式,控制该静电放电模拟器的放电电压及波形满足预设标准,其中,该继电器设置于静电放电模拟器内,该屏蔽层接地,可以解决相关技术中电子产品的静电放电抗扰度测试时出现对静电放电模拟器额外产生的辐射敏感现象的问题,通过对静电放电模拟器内实现放电开关功能的继电器进行屏蔽和接地处理,以达到降低额外辐射限值的目的,真实反应出被测试产品的静电放电抗扰度能力。

著录项

  • 公开/公告号CN115407135A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-11-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中兴通讯股份有限公司;

    申请/专利号CN202110595187.4

  • 发明设计人 顾海洲;韦守龙;

    申请日2021-05-28

  • 分类号G01R31/00;G01R1/18;

  • 代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人张秀英

  • 地址 518057 广东省深圳市南山区科技南路55号

  • 入库时间 2023-06-19 17:45:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-11-29

    公开

    发明专利申请公布

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