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一种金刚石补偿性掺杂方法

摘要

本发明公开了一种金刚石补偿性掺杂方法,是通过控制在金刚石基片生长过程中,加入氮和硅元素,以促进金刚石基片表面(100)晶向基元的形成,同时修复金刚石基片表面缺陷,并且在合成得到金刚石单晶后,进一步对该金刚石晶体进行退火处理,以补偿金刚石晶体的缺陷,同时有效的调整晶体内部的能态结构,从而使得本发明能够获得高品质的金刚石晶体,另外,由于本发明仅需要在合成金刚石过程中加入含氮和含硅元素,同时对所合成的金刚石晶体进行退火处理,因此本发明制备金刚石晶体的方法简单易行,且能够以高成品率、快速生产高纯度的金刚石,从而有效解决了现有不能便捷地生产高纯度的金刚石的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN115369485A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-11-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京芯美达科技有限公司;

    申请/专利号CN202210782954.7

  • 发明设计人 王海燕;

    申请日2022-07-05

  • 分类号C30B29/04;C30B25/02;C30B25/20;C30B33/02;

  • 代理机构工业和信息化部电子专利中心;

  • 代理人张然

  • 地址 100101 北京市朝阳区亚运村大屯北路慧忠北里第二社区118号楼1单元503

  • 入库时间 2023-06-19 17:40:19

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-11-22

    公开

    发明专利申请公布

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