一种用于快恢复二极管的金属颗粒腐蚀液及金属腐蚀方法

摘要

本发明公开了快恢复二极管技术领域内的一种用于快恢复二极管的金属颗粒腐蚀液及金属腐蚀方法。该金属腐蚀方法，依次包括以下步骤：将光刻后的晶片放置于酸洗花篮中，按常规方式进行初步金属腐蚀处理；将初步金属腐蚀处理后的晶片，浸泡于金属颗粒腐蚀液中，金属颗粒腐蚀液温度为18‑22℃，浸泡时间为50‑70s，浸泡期间持续抖动酸洗花篮，完成二次腐蚀；将二次腐蚀处理后的晶片，冲水、甩干处理后，放置于恒定环境中干燥。该金属腐蚀方法在常规腐蚀的基础上进行二次腐蚀，通过特制的金属颗粒腐蚀液有效的解决了腐蚀后制品表面金属颗粒残留问题，保证制品不会因为金属颗粒问题导致的漏电突变现象。