一种基于二氧化钒超材料结构的C波段硅基调制器

摘要

本发明公开了一种基于二氧化钒超材料结构的C波段硅基调制器，包括SOI基底，所述SOI基底上沿长度方向的对称轴上呈凸起结构，所述凸起结构为波导层，所述波导层为条形直波导，所述条形直波导分为输入区波导、复合区波导和输出区波导，所述复合区波导上方刻蚀的一排小孔内填充有超材料结构，所述波导层和所述超材料结构由二氧化硅包裹。本发明具有器件尺寸小、状态切换速度快和能耗低的特点。采用二氧化钒超材料结构，可实现小尺寸的调制器；相变材料在不同外界能量刺激下，其折射率会发生改变，且切换速度极快，飞秒量级的光脉冲即可实现状态间的快速切换；在无外界能量刺激下，状态会维持在原有状态，在切换要求不频繁的系统中，可大大降低功耗。