基于饱和光电流的有机半导体薄膜载流子迁移率测量方法

摘要

本发明公开了一种基于电荷产生层的饱和光电流的有机半导体薄膜载流子迁移率测量方法。在待测有机半导体样品的透明底电极和有机半导体薄膜之间加入一层厚度远远小于待测有机半导体薄膜厚度的、且具有一定光生电荷产生能力的电荷产生层，以常规激光器或发光二极管作为光源，测量样品的饱和光电流特性曲线，最后利用空间电荷限制电流传导理论的公式拟合饱和光电流特性曲线，确定有机半导体薄膜的载流子迁移率。本方法避免了传统TOF(飞行时间，time of fight)法测量载流子迁移率时的脉冲光源昂贵问题和待测有机半导体薄膜较厚的问题，有效降低了成本，并且提高了测量迁移率准确度。