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公开/公告号CN115058700A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-09-16
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学中山学院;
申请/专利号CN202210728587.2
发明设计人 高庆国;陈思敏;陈滤成;许哲铨;张崇富;潘新建;于淼;陈又鲜;
申请日2022-06-24
分类号C23C16/30;C23C16/44;
代理机构合肥市科融知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人梁成
地址 528400 广东省中山市石岐区学院路1号
入库时间 2023-06-19 16:49:13
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-09-16
公开
发明专利申请公布
机译: 二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜
机译: 具有二硫化钼有源层的薄膜晶体管,其制造方法以及包括该薄膜晶体管的显示装置
机译: 二硫化钼/钨二硫化物多层钽掺杂薄膜,其制备方法及其用途
机译:一步原子层沉积法制备的二硫化钼薄膜的制备与表征
机译:热气相硫化法制备二硫化钼薄膜的生长工艺
机译:沉积压力对磁控溅射制备二硫化钼薄膜微结构和带隙的影响
机译:薄雾CVD制备的二硫化钼(MoS_2)层状薄膜
机译:通过电沉积法为能量储存,催化和生物传感器应用的电沉积方法合理制备二硫化钼和金属掺杂钼二硫化薄膜
机译:n型二硫化钼(MoS2)薄膜的热电性质的简单测量方法
机译:取向二硫化钼薄膜的制备及其在光电化学能量收集中的应用
机译:二硫化钼与各种材料结合形成固体润滑膜II-实际方法粘结薄膜的摩擦和耐久性特征