一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀装置及其刻蚀方法

摘要

本发明公开一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀装置及其刻蚀方法，包括刻蚀箱、密封盖、激励线圈，刻蚀箱内设置隔板，隔板将刻蚀箱分为上方的刻蚀部和下方的排气部，隔板上开设通孔，通孔的左右两侧通过设置扭簧轴铰接隔离门，刻蚀箱底部设置升降缸，升降缸的活塞杆端部设置连杆，连杆的顶部设置盛放板，盛放板位于通孔内，且与通孔间隙配合，盛放板上升时，将隔离门上顶打开，所述盛放板下降时，隔离门在扭簧轴的作用下自动关闭。本发明通过注入刻蚀气体，使待刻蚀硅晶片在激励线圈和偏压提供装置的相互配合作用下实现刻蚀，同时通过设置喷气管释放惰性气体，和吸管将产生的气体吸出，使更多的硅晶片与刻蚀气体接触完成刻蚀，提高装置的工作效率。