一种POLO-IBC电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种POLO‑IBC电池的制备方法，利用非晶硅和poly硅掺杂和氧化的差异，对局部晶化后的背面进行整面掺杂，晶化掺杂的区域做N型区，非晶化区难掺杂且易腐蚀，直接腐蚀非晶硅到隧穿层，做P型区；本发明不需使用掩膜，工艺流程简单，且P区和N区接触面都是抛光面，在保证N区钝化的同时，也提高了P型区铝浆的欧姆接触能力。