一种二维材料扭角WS2的制备及二维材料扭角WS2

摘要

本发明公开了一种二维材料扭角WS2的制备及二维材料扭角WS2，二氧化硅/硅片为衬底，钨源和硫粉为原料，在所述衬底的二氧化硅面采用化学气相沉积法进行二维材料扭角WS2的生长；所述二维材料扭角WS2的生长容器为石英管，石英管内通入氩气作为运载气体；在所述的石英管内还设置了两端开口的石英试管，用于放置进行化学气相沉积的钨源和衬底；氩气的流量为50～180sccm；化学气相沉积的反应温度为750～850℃。该实验工艺简单，成本低廉，所制备的二维材料扭角WS2表面均匀平整、质量高，对于研究新型扭角光电子学及光电集成器件有重要的意义。