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通过盖结构和相关切割装置利用切割工具暴露金属化焊盘以形成集成电路装置的方法

摘要

一种制造半导体装置的方法,可包括提供电联接到半导体晶圆上的金属化焊盘的集成电路,该集成电路和该金属化焊盘由盖结构覆盖。可使用具有尖端表面和斜切侧表面的切割工具在盖结构的覆盖金属化焊盘的一部分中切割通道,以暴露在第一方向上延伸的通道中的金属化焊盘的上表面;可在通道中沉积导电材料以与通道中的金属化焊盘的上表面欧姆接触。

著录项

  • 公开/公告号CN115004337A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-09-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 阿库斯蒂斯有限公司;

    申请/专利号CN202180009291.9

  • 发明设计人 罗伯特·C·德瑞;布鲁克·霍斯;

    申请日2021-02-04

  • 分类号H01L21/302;H01L21/02;H01L21/30;H01L21/301;H01L21/304;H01L21/31;

  • 代理机构北京高沃律师事务所;

  • 代理人石佳

  • 地址 美国北卡罗来纳州亨特维尔

  • 入库时间 2023-06-19 16:38:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-09-02

    公开

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